Transistor Dual Q1 (B2-189) para Amplificador TPL PA31AC.
Transistor Dual Q1 (B2-189) para Amplificador TPL PA31AC
Características Principales
- Transistor RF de potencia N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
- Frecuencia máxima: 175 MHz
- Potencia de salida: 50 W
- Voltaje de alimentación: 12.5 V
- Ganancia: 14.5 dB
- Eficiencia: 55%
- Tensión de umbral (VGS(th)): 1-3 V
- Resistencia de on-state (RDS(on)): 0.5 Ω
- Paquete plástico con capacidad hasta 200°C
Características Avanzadas
- Diseñado para aplicaciones comerciales e industriales
- Alta estabilidad térmica
- Capaz de manejar VSWR de 20:1
- Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande
- Amplia banda: 135-175 MHz
- Paquete TO-272-6 plástico
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Capacitancia de entrada (Ciss): 500 pF
- Capacitancia de salida (Coss): 250 pF
- Capacitancia de transferencia inversa (Crss): 35 pF
Ratings Máximos
- Voltaje drenador-fuente (VDSS): -0.5 a +40 Vdc
- Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±20 Vdc
- Corriente de drenador (ID): 12 Adc
- Disipación total del dispositivo (PD): 165 W @ TC = 25°C
- Derating: 0.50 W/°C por encima de 25°C
- Rango de temperatura de almacenamiento: -65 a +150 °C
- Temperatura de unión: 200 °C
Características Térmicas
- Resistencia térmica (RθJC): 0.75 °C/W
- Clasificación de sensibilidad a la humedad: Nivel 3
- Temperatura máxima de pico: 260 °C
- Temperatura de unión: 200 °C
Características Eléctricas
- Corriente de fuga drenador-fuente (IDSS): ≤1 μAdc
- Corriente de fuga compuerta-fuente (IGSS): ≤0.5 μAdc
- Capacitancia de entrada (Ciss): 500 pF
- Capacitancia de salida (Coss): 250 pF
- Capacitancia de transferencia inversa (Crss): 35 pF
RF Características
- Ganancia de potencia (Gps): 14.5 dB
- Eficiencia: 55%
- Impedancia de entrada: 4.1 + j0.5 Ω @ 135 MHz
- Impedancia de salida: 1.0 + j0.6 Ω @ 135 MHz
- Frecuencia de prueba: 175 MHz
Diseño y Aplicaciones
- Diseñado para aplicaciones en banda ancha (135-175 MHz)
- Adecuado para equipos móviles de FM a 12.5 V
- Requiere disipación térmica adecuada en el diseño
- Tecnología Lateral RF Power MOSFET con alta ganancia
- Protección contra voltaje transitorio mediante circuito externo
- Circuito de polarización de compuerta mediante divisor resistivo
- Capaz de operar con cargas desajustadas
Consideraciones de Manejo
- Requiere precauciones contra descarga electrostática
- No dejar la compuerta abierta o flotante
- Recomendado para montaje superficial automático
- Máxima corriente de polarización: 500 mA
- Requiere circuito de protección externo para la compuerta
- Uso de resistencia para mantener baja impedancia compuerta-fuente
Especificaciones de Prueba
Las pruebas se realizaron con las siguientes condiciones:
- Voltaje de alimentación (VDD): 12.5 Vdc
- Corriente de polarización (IDQ): 500 mA
- Potencia de salida (Pout): 50 W
- Frecuencia de prueba: 175 MHz
Información de Fabricación
- Paquete: TO-272-6 PLASTIC
- Estilo de paquete: CASE 1264A-03, STYLE 1
- Empaque: Cinta y carrete (500 unidades por carrete de 44 mm)
- Conformidad: RoHS, sin plomo (sufijo N)
Parámetros S Comunes
A 12.5 Vdc, IDQ = 500 mA:
- S11: 0.95 -178° @ 175 MHz
- S21: 1.349 61° @ 175 MHz
- S12: 0.008 -8° @ 175 MHz
- S22: 0.90 -174° @ 175 MHz
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