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TRANSIS.FET P/POT.TKR850V2/8102HKV2

21/Existencias
  • Transistor FET de alta potencia
  • Voltaje máximo de 850V
  • Corriente continua de 110A
  • Disipación de potencia de 150W
  • Tecnología avanzada de encapsulado TO-247
  • Aplicación en sistemas de conmutación de alta eficiencia
    • Availability: In Stock
    $ 1,588.77 MXN + I.V.A
    MAS DETALLES

    Características

    • Producto: TRANSIS.FET P/POT.TKR850V2/8102HKV2
    • Marca: MITSUBISHI
    • Modelo: RD60HUF1101
    • Modo: MEJORAR_BASICO

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