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Diodo de Silicio de Recuperación Estándar 1N1184A, VRMS-70, VF-1.2, IF-35A, Cátodo en Base del DO-5.

0/Existencias
  • Diodo de silicio de recuperación estándar
  • Alta capacidad de sobrecarga 595 A
  • Voltaje inverso RMS 70 V
  • Corriente directa continua 35 A
  • Temperatura operación -55 a +150 °C
  • Cátodo en base del encapsulado DO-5
    • Availability: In Stock
    $ 376.70 MXN + I.V.A
    MAS DETALLES

    Características Principales

    • Diodo de Silicio de Recuperación Estándar
    • Tipo: Potencia Estándar 1N1184A
    • Polaridad Estándar: Cátodo en la Base
    • Alta Capacidad de Sobrecarga
    • No Sensitivo a Descargas Electrostáticas (ESD)
    • Temperatura de Operación: -55 a +150 °C

    Especificaciones Eléctricas

    • Voltaje Repetitivo de Pico Inverso: 100 V
    • Voltaje Inverso RMS: 70 V
    • Voltaje de Bloqueo DC: 100 V
    • Corriente Directa Continua: 35 A
    • Corriente de Sobrecarga: 595 A (t = 8.3 ms, media onda sinusoidal)
    • Voltaje Directo: 1.2 V (IF = 35 A, Tj = 25 °C)
    • Corriente Inversa: 10 μA (VR = 50 V, Tj = 25 °C)

    Especificaciones Térmicas

    • Resistencia Térmica (Junto a Carcaza): 0.25 °C/W
    • Temperatura de Almacenamiento: -55 a +150 °C
    Empaque
    • Tipo: DO-5 (DO-203AB)
    Aplicaciones
    • Fuentes de Alimentación
    • Sistemas de Potencia
    • Rectificación Industrial

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