Transistor de Pot, RF, Fet, Canal N, 8 W, 12.5 Vcc

  • Transistor FET de canal N de 8 W
  • Frecuencia máxima de operación de 520 MHz
  • Alta ganancia de potencia de 11 dB
  • Eficiencia del 55% a 12.5 Vcc
  • Estabilidad térmica superior para operación continua
  • Diseño SMD en envase plástico RF
  • Availability: In Stock
    $ 311.92 MXN + I.V.A



    El Transistor MRF1518T1 está diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este dispositivo lo hacen ideal para aplicaciones de amplificador de fuente común de gran señal en equipos FM Moviles de 12.5 voltios

    Rendimiento especificado @ 520 MHz,12.5 Volts.

    • Potencia de salida 8 Watts.
    • Ganancia de potencia 11dB.
    • Eficiencia- 55%.
    • Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie.
    • Excelente estabilidad térmica.
    • Capaz de manejar 20:1 VSWR, @ 15.5Vcc 520 MHz, 2 dB de sobremodulación.
    • Envase de plástico de montaje superficial de potencia RF.